40G04 PDFN5X6-8L N+PMOS管 中低壓MOS管 40G04 貼片場效應(yīng)管
N+PMOS管 40G04的主要參數(shù)：
N-CH：
VDS：40V
ID：42A
RDS(ON)＜10mΩ@VGS=10V(Type：7mΩ)
P-CH：
VDS：-40V
ID：38A
RDS(ON)＜13mΩ@VGS=-10V(Type：10mΩ)
N+PMOS管 40G04的產(chǎn)品應(yīng)用：
無線充電
無刷馬達(dá)
N+PMOS管 40G04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | -40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | 42 | -38 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 32.5 | -27.5 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 123 | -115 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 289 | 378 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 42 | 50 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 46 | 41.3 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 25 | ℃/W | |
| RθJC | 結(jié)到管殼熱阻 | 2.3 | ||
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 | |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
