電源用低壓NMOS管 30N03 SOT89-3 低內(nèi)阻MOSFET MOS管型號(hào)大全
電源用低壓NMOS管 30N03的主要參數(shù)：
VDS=30V
ID=30A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=10V(Type：8.5mΩ)
電源用低壓NMOS管 30N03的主要應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
不間斷電源
電源用低壓NMOS管 30N03的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：30V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID (TC=25℃)：30A
漏極電流-脈沖 IDM：90A
總耗散功率 PD (TC=25℃)：37.5W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：125℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：4℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~175℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~175℃
電源用低壓NMOS管 30N03的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 33 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A | 8.5 | 12 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=15A | 14 | 18 | |||
| VGS | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 9.8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 940 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 131 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 109 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 4 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 8 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 31 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 4 |
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