4959A SOP-8 貼片P+P溝道MOS管 中低壓場效應(yīng)管 國產(chǎn)常用MOS
貼片P+P溝道MOS管 4959A的主要參數(shù)：
VDS=-30V
ID=-18A
RDS(ON)＜18mΩ@VGS=-10V(Type：12.5mΩ)
貼片P+P溝道MOS管 4959A的應(yīng)用：
鋰電池保護板
手機快充
貼片P+P溝道MOS管 4959A的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) | -18 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TA=70℃) | -11 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -48 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 168 | mJ |
| PD | 總耗散功率(TA=25℃) | 310 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 4.5 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
貼片P+P溝道MOS管 4959A的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -32.5 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-10A | 12 | 18 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-5A | 18 | 25 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1.2 | -1.5 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 22 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2130 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 280 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 252 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 9 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 13 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 48 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 20 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
