低壓P+PMOS管 40V03 PDFN5X6-8L 手機(jī)快充用MOSFET MOS管型號(hào)大全
低壓P+PMOS管 40V03的引腳圖：
低壓P+PMOS管 40V03的應(yīng)用領(lǐng)域：
鋰電池保護(hù)板
手機(jī)快充
低壓P+PMOS管 40V03的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-30V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID (TA=25℃)：-40A
漏極電流-脈沖 IDM：-120A
單脈沖雪崩能量 EAS：68mJ
雪崩電流 IAS：-29.4A
總耗散功率 PD (TA=25℃)：3.1W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：25℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：2.4℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
低壓P+PMOS管 40V03的電特性：
(如無(wú)特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -32.5 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-10A | 11.5 | 16 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-5A | 16 | 20 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1.2 | -1.5 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 22 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2130 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 280 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 252 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 9 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 13 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 48 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 20 |
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