低壓P+P溝道MOS管 30V02 PDFN3X3-8L 小內(nèi)阻雙PMOS 手機(jī)快充MOSFET
低壓P+P溝道MOS管 30V02的應(yīng)用領(lǐng)域：
鋰電池保護(hù)板
手機(jī)快充
低壓P+P溝道MOS管 30V02的引腳圖：
低壓P+P溝道MOS管 30V02的極限值：
(如無特殊說明，TA=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-20V
柵極-源極電壓 VGS：±12V
漏極電流-連續(xù) ID (TA=25℃)：-30A
漏極電流-脈沖 IDM：-90A
總耗散功率 PD (TA=25℃)：1.5W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：85℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：12℃/W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
低壓P+P溝道MOS管 30V02的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | -23 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 12.5 | 16 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-10A | 16.5 | 28 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.5 | -0.6 | -1.2 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 15.3 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.4 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2000 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 242 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 231 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 10 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 31 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 28 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 8 |
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