中低壓插件MOS管18P20 TO-220 鐵封國產MOS 電源應用MOSFET管
中低壓插件MOS管18P20的主要參數(shù)：
VDS=-200V
ID=-18A
RDS(ON)＜320mΩ@VGS=-10V(Type：260mΩ)
中低壓插件MOS管18P20的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -200 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | -18 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | -12 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -65 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 1200 | mJ |
| IAR | 重復雪崩電流 | -15 | A |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 325 | W |
| RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 1 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
中低壓插件MOS管18P20的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -200 | -254 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-5.5A | 260 | 320 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -2 | -3.5 | -5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 88 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 14.1 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 54 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2400 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 7400 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 182 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 28 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 86 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 78 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 76 |
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