150VPMOS管4P15 PDFN3X3-8L 宇芯微 國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 4P15 超小封裝MOS
150VPMOS管4P15的主要參數(shù)：
VDS=-150V
ID=-4A
RDS(ON)＜780mΩ@VGS=-10V(Type：620mΩ)
150VPMOS管4P15的應(yīng)用：
無(wú)刷馬達(dá)
UPS 不間斷電源
150VPMOS管4P15的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-150V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID (TA=25℃)：-4A
漏極電流-脈沖 IDM：-12A
單脈沖雪崩能量 EAS：56.5mJ
雪崩電流 IAS：-5A
總耗散功率 PD (TA=25℃)：2W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：40℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
150VPMOS管4P15的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -150 | -168 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-1A | 620 | 780 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-6V,ID=-0.5A | 700 | 980 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -2 | -3 | -4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 10.8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.1 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 706 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 23 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 13 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 21 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 16 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 40 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 18 |
網(wǎng)站首頁(yè)可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
