低壓大電流MOSFET 120P06 TO-220 插件PMOS場(chǎng)效應(yīng)管 宇芯微通用MOS
低壓大電流MOSFET 120P06的應(yīng)用領(lǐng)域：
鋰電池保護(hù)
手機(jī)快充
低壓大電流MOSFET 120P06的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | -120 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | -70 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -360 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 800 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 51 | A |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 110 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 1.1 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 60 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
低壓大電流MOSFET 120P06的極限參數(shù)電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -60 | -68 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-20A | 5.5 | 6.5 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-15A | 7.5 | 10 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -1 | -2 | -3 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 112 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 22 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 18 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 7200 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 1200 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 50 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 9 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 5 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 29 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 7.6 |
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