宇芯微 電池保護(hù)MOSFET 25P06 SOP-8 貼片PMOS管 -60V低壓MOSFET
電池保護(hù)MOSFET 25P06的主要參數(shù)：
VDS=-60V
ID=-25A
RDS(ON)＜13mΩ@VGS=-10V(Type：10mΩ)
電池保護(hù)MOSFET 25P06的引腳圖：
電池保護(hù)MOSFET 25P06的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-60V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：-25A
漏極電流-脈沖 IDM：-75A
單脈沖雪崩能量 EAS：450mJ
總耗散功率 PD：110W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：1.1℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：85℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
電池保護(hù)MOSFET 25P06的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -60 | -68 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-20A | 10 | 13 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-15A | 13 | 18 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.8 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 56 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 11 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 9 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3500 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 600 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 25 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 4.5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 2.5 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 14.5 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 3.8 |
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