電源用PMOSFET 12P05 TO-252 -55V國(guó)產(chǎn)常用MOS MOS場(chǎng)效應(yīng)管替換
電源用PMOSFET 12P05的引腳圖:
電源用PMOSFET 12P05的極限值:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | -55 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) | -12 | A |
漏極電流-連續(xù)(TA=70℃) | -8.4 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | -36 | |
PD | 總耗散功率(TA=25℃) | 12 | W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 80 | |
TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
電源用PMOSFET 12P05的極限值:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -55 | -58 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-5A | 95 | 120 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-3A | 115 | 160 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.65 | -2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 4.6 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 1.4 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.62 | |||
Ciss | 輸入電容 | 531 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 59 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 38 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 17.4 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 5.4 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 37.2 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 2.4 |