P溝道MOS管3P06 SOT23-6 -60V場效應管 增強型PMOS管
P溝道MOS管3P06的主要參數(shù):
VDS=-60V
ID=-3.8A
RDS(ON)<150mΩ@VGS=10V(Type:125mΩ)
P溝道MOS管3P06的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | -60 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) | -3.8 | A |
漏極電流-連續(xù)(TA=70℃) | -2.4 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | -12 | |
PD | 總耗散功率(TA=25℃) | 1.5 | W |
RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 125 | ℃/W |
RθJC | 結到管殼的熱阻 | 80 | |
TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結溫 | -55~150 |
P溝道MOS管3P06的電特性:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -60 | -67 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-1.5A | 125 | 150 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-1A | 158 | 200 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.7 | -2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 4.6 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 1.4 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.62 | |||
Ciss | 輸入電容 | 531 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 59 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 38 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 17.4 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 5.4 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 37.2 | |||
tf | 開啟下降時間 | 2.4 |