超小封裝PMOS管 50P04 PDFN3X3-8L 低壓國(guó)產(chǎn)MOSFET MOS管應(yīng)用于小家電
超小封裝PMOS管 50P04的應(yīng)用領(lǐng)域:
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
UPS 不間斷電源
超小封裝PMOS管 50P04的極限值:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | -40 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | -50 | A |
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | -32 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | -105 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 146 | mJ |
IAS | 雪崩電流 | -54 | A |
PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 52.1 | W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 25 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 2.4 | |
TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
超小封裝PMOS管 50P04的電特性:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -40 | -44 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-30A | 10.5 | 13 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 15 | 20 | |||
VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 27.9 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 7.7 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 7.5 | |||
Ciss | 輸入電容 | 3500 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 323 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 222 | |||
td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 40 | ns | ||
tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 35.2 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 100 | |||
tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 9.6 |