-40VPMOS管20P04 PDFN3X3-8L 超小封裝MOS管 低壓MOS場效應(yīng)管
-40VPMOS管20P04的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS 不間斷電源
-40VPMOS管20P04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-40V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：-20A
漏極電流-脈沖 IDM：-60A
單脈沖雪崩能量 EAS：37mJ
雪崩電流 IAS：-27.2A
總耗散功率 PD (TC=25℃)：31.3W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：85℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：4℃/W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
-40VPMOS管20P04的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -40 | -46 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-18A | 30 | 40 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-12A | 45 | 60 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 9 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.54 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1004 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 108 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 80 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 19.2 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 12.8 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 48.6 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 4.6 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
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