P溝道MOS管150P03 TO-263 低內(nèi)阻MOS管替換 國產(chǎn)常用MOS
P溝道MOS管150P03的應(yīng)用領(lǐng)域：
鋰電池保護
手機快充
P溝道MOS管150P03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | -150 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | -85 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -460 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 225 | mJ |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 62.5 | W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.46 | ℃/W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~175 |
P溝道MOS管150P03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -33 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-30A | 3.8 | 5.5 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 5.8 | 8.2 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 42 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 8.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 11.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 9400 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 1000 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 767 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 15 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 16 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 69 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 27 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
