大電流PMOSFET管150P03 PDFN5X6-8L 低內(nèi)阻國(guó)產(chǎn)MOS 小家電MOS管
大電流PMOSFET管150P03的引腳圖：
大電流PMOSFET管150P03的應(yīng)用領(lǐng)域：
鋰電池保護(hù)
手機(jī)快充
大電流PMOSFET管150P03的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-30V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：-150A
漏極電流-脈沖 IDM：-450A
單脈沖雪崩能量 EAS：576mJ
雪崩電流 IAS：-70A
總耗散功率 PD：150W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：25℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.06℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
大電流PMOSFET管150P03的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -35 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-20A | 2.5 | 3.2 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=20A | 4 | 5.2 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -1 | -1.7 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 130 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 12 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 31 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 7000 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 820 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 540 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 14 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 13 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 65 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 37 |
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