貼片P溝道MOS管50P03 TO-252 低壓MOSFET替換 充電器用MOS
貼片P溝道MOS管50P03的應用領域：
鋰電保護
手機快充
貼片P溝道MOS管50P03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TA=25℃ | -50 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TA=70℃ | -23 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -120 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 68 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | -29.4 | A |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 310 | W |
| RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 24 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
貼片P溝道MOS管50P03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -32.5 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-10A | 10.5 | 16 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-5A | 16 | 20 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1.2 | -1.5 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 22 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2130 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 280 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 252 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 9 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 13 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 48 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 20 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術支持新聞資訊關于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
