快充用低壓PMOS管40P03 SOP-8 低內(nèi)阻PMOSFET 貼片MOS管選型
快充用低壓PMOS管40P03的主要參數(shù)：
VDS=-30V
ID=-40A
RDS(ON)＜4mΩ@VGS=-10V(Type：3.2mΩ)
快充用低壓PMOS管40P03的繼續(xù)參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-30V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：-40A
漏極電流-脈沖 IDM：-160A
單脈沖雪崩能量 EAS：576mJ
總耗散功率 PD：150W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：85℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.06℃/W
快充用低壓PMOS管40P03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -35 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-20A | 3.2 | 4 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 4.5 | 6 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.7 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 130 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 12 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 31 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 7000 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 820 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 540 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 14 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 13 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 65 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 37 |
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