貼片低壓PMOS管60P02 TO-252 MOS管選型 60V/20A 常用MOSFET
貼片低壓PMOS管60P02的應(yīng)用領(lǐng)域:
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
不間斷電源(UPS)
貼片低壓PMOS管60P02的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:-20V
柵極-源極電壓 VGS:±12V
漏極電流-連續(xù) ID:-60A
漏極電流-脈沖 IDM:-200A
總耗散功率 PD:60W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:75℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:3.6℃/W
存儲溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
貼片低壓PMOS管60P02的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | -22 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-10A | 8 | 12 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-5A | 11 | 16 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.4 | -0.65 | -1 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 63 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 9.1 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 13 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1600 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 350 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 300 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 10 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 15 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 110 | |||
tf | 開啟下降時間 | 70 |