低壓N+PMOS管20G04 TO-252-4 貼片國產(chǎn)MOSFET 馬達(dá)應(yīng)用MOS場效應(yīng)管
低壓N+PMOS管20G04的主要參數(shù)：
1、N-CH：
VDS=40V
ID=20A
RDS(ON)＜32mΩ@VGS=10V(Type：24mΩ)
2、P-CH：
VDS=-40V
ID=-18A
RDS(ON)＜48mΩ@VGS=-10V(Type：42mΩ)
低壓N+PMOS管20G04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | -40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TC=25℃) | 20 | -18 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TC=100℃) | 15 | -16 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 35 | -36 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 15 | 45 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 10 | -10 | A |
| PD | 總耗散功率 (TC=25℃) | 20 | 25 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 5 | 5 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 | |
低壓N+PMOS管20G04的封裝外形尺寸圖：
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
