無(wú)線充電用N+PMOS管6G04 SOT23-6 低壓N+PMOSFET 國(guó)產(chǎn)常用貼片MOS管
無(wú)線充電用N+PMOS管6G04的主要參數(shù)：
1、N-CH：
VDS=40V
ID=6.3A
RDS(ON)＜37mΩ@VGS=10V(Type：30mΩ)
2、P-CH：
VDS=-40V
ID=-6.1A
RDS(ON)＜75mΩ@VGS=-10V(Type：60mΩ)
無(wú)線充電用N+PMOS管6G04的應(yīng)用領(lǐng)域：
無(wú)線充電
無(wú)數(shù)馬達(dá)
無(wú)線充電用N+PMOS管6G04的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | -40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TA=25℃) | 6.1 | -6 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TA=100℃) | 4.9 | -4.8 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 23 | -22 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 16.2 | 39 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 18 | 28 | A |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 1.67 | 1.67 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 75 | 75 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 30 | 30 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 | |
無(wú)線充電用N+PMOS管6G04的封裝外形尺寸圖：
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