馬達用N+PMOS管50G03 TO-252-4 低內(nèi)阻MOSFET 貼片替換MOS
馬達用N+PMOS管50G03的主要參數(shù)：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=52A
RDS(ON)＜10mΩ@VGS=10V(Type：7.2mΩ)
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-48A
RDS(ON)＜13mΩ@VGS=-10V(Type：8.8mΩ)
馬達用N+PMOS管50G03的應(yīng)用領(lǐng)域：
無刷直流馬達 BLDC
馬達用N+PMOS管50G03的最大額定值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TC=25℃) | 52 | -48 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TC=100℃) | 38.5 | -37.5 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 150 | -144 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 289 | 378 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 28 | 29.5 | A |
| PD | 總耗散功率 (TC=25℃) | 46 | 41.3 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 2.3 | 2.3 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 | |
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