電源用低壓N+NMOS管40H06 PDFN3X3-8L 60V/40A MOSFET選型 國產(chǎn)替換MOS
電源用低壓N+NMOS管40H06的主要參數(shù):
VDS=60V
ID=40A
RDS(ON)<32mΩ@VGS=10V(Type:20mΩ)
電源用低壓N+NMOS管40H06的應(yīng)用領(lǐng)域:
電池保護
不間斷電源 UPS
電源用低壓N+NMOS管40H06的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | 40 | A |
漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 18 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | 114 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 25.5 | mJ |
IAS | 雪崩電流 | 22 | A |
PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 34.7 | W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 85 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 3.6 | |
TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
電源用低壓N+NMOS管40H06的極限值:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 65 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=15A | 20 | 32 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 30 | 38 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 12.6 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 3.2 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 6.3 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1378 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 86 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 64 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 8 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 14.2 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 24.4 | |||
tf | 開啟下降時間 | 4.6 |