1000V/1.7A 高壓N溝道MOS管2N100 SOT223-3L 貼片小封裝MOS管 通用MOS
高壓N溝道MOS管2N100的主要參數(shù):
VDS=1000V
ID=1.7A
RDS(ON)<9600mΩ@VGS=10V(Type:8000mΩ)
高壓N溝道MOS管2N100的應(yīng)用領(lǐng)域:
不間斷電源 UPS
功率因數(shù)校正 PFC
高壓N溝道MOS管2N100的極限值:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 1000 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | 1.7 | A |
漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 0.8 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | 6 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 90 | mJ |
IAR | 雪崩電流 | 3 | A |
EAR | 重復(fù)雪崩能量 | 0.36 | mJ |
PD | 總耗散功率 | 36 | W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 100 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 3.47 | |
TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
高壓N溝道MOS管2N100的電特性:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 1000 | 1100 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=4.5A | 8000 | 9600 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 2 | 3.5 | 4 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 16 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 1.2 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 11.5 | |||
Ciss | 輸入電容 | 308 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 32 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 6.2 | |||
td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 35 | ns | ||
tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 12 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 85 | |||
tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 53 |