大封裝高壓NMOS管 9N90 TO-247 電源用插件MOS 國產(chǎn)常用場效應管
大封裝高壓NMOS管 9N90的主要參數(shù):
VDS=900V(Type:1000V)
ID=9A
RDS(ON)<1000mΩ@VGS=10V(Type:920mΩ)
大封裝高壓NMOS管 9N90的應用領域:
UPS 不間斷電源
PFC 功率因數(shù)校正
大封裝高壓NMOS管 9N90的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 900 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | 9 | A |
漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 5.8 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | 36 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 576 | mJ |
IAR | 雪崩電流 | 9 | A |
EAR | 重復雪崩能量 | 53 | mJ |
PD | 總耗散功率 | 31.2 | W |
RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 48 | ℃/W |
RθJC | 結到管殼的熱阻 | 4 | |
TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
大封裝高壓NMOS管 9N90的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 900 | 1000 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=4.5A | 975 | 1200 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 80 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 12 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 38 | |||
Ciss | 輸入電容 | 2752 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 206 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 36 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 33 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 57 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 270 | |||
tf | 開啟下降時間 | 91 |