UPS應(yīng)用NMOS管 18N50 TO-220F 國內(nèi)MOSFET替換 500V高壓NMOS管
UPS應(yīng)用NMOS管 18N50的主要參數(shù):
VDS=500V
ID=18A
RDS(ON)<350mΩ@VGS=10V(Type:280mΩ)
UPS應(yīng)用NMOS管 18N50的應(yīng)用領(lǐng)域:
不間斷電源 UPS
功率矯正因素 PFC
UPS應(yīng)用NMOS管 18N50的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 500 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) | 18 | A |
IDM | 漏極電流-脈沖 | 65 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 405 | mJ |
IAR | 雪崩電流 | 16 | A |
EAR | 重復(fù)雪崩能量 | 5 | mJ |
PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 29.8 | W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼熱阻 | 3.92 | |
TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
UPS應(yīng)用NMOS管 18N50的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 500 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=8A,TJ=25℃ | 280 | 350 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 3 | 5 | V | |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 31 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 13 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 9 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1670 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 247 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 6.8 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 27 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 45 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 61 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 38 |