500V/16A高壓MOS管16N50 TO-220F 國產塑封MOS MOSFET應用大全
500V/16A高壓MOS管16N50的應用:
UPS 不間斷電源
功率因數(shù)矯正(PFC)
500V/16A高壓MOS管16N50的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 500 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) | 16 | A |
IDM | 漏極電流-脈沖 | 58 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 452 | mJ |
IAR | 雪崩電流 | 14 | A |
EAR | 重復雪崩能量 | 60 | mJ |
PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 32 | W |
RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
RθJC | 結到管殼熱阻 | 4.12 | |
TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
500V/16A高壓MOS管16N50的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 500 | 550 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=6.5A,TJ=25℃ | 320 | 400 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 23.5 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 6.9 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 7.4 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1651 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 188 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 7 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 31 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 43 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 106 | |||
tf | 開啟下降時間 | 46 |