150V/120A場效應(yīng)MOS管120N15 TO-220 插件MOS管選型 LED用NMOSFET
150V/120A場效應(yīng)MOS管120N15極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 150 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 120 | A |
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 80 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | 360 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 406 | mJ |
IAS | 雪崩電流 | 43 | A |
PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 160 | W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 0.78 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 62 | |
TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
150V/120A場效應(yīng)MOS管120N15電特性:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 150 | 168 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 9.5 | 12 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2.5 | 3.5 | 4.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 65.5 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 26 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 17.2 | |||
Ciss | 輸入電容 | 5469 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 1702 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 186 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 36 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 95 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 56 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 11 |