電源用MOS管30N15 TO-263 貼片N溝道MOS管 150V/30A 功率MOSFET
電源用MOS管30N15的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 150 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 30 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 21 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 90 | |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 60 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 2.5 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
電源用MOS管30N15的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 150 | 175 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=10A | 63 | 78 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=8A | 72 | 90 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 2 | 3 | 4.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 11 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 630 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 50 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 13.5 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 9.8 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 6 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 15 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 4.1 |
網(wǎng)站首頁(yè)可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
