200N12 TO-263 貼片低壓MOS管 低壓大電流MOS管 MOSFET價(jià)格
貼片低壓MOS管200N12的應(yīng)用領(lǐng)域:
BMS
UPS
電源管理
貼片低壓MOS管200N12的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 120 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | 200 | A |
漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 150 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | 600 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 530 | mJ |
IAS | 雪崩電流 | 45 | A |
PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 240 | W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 0.75 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 62 | |
TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
國產(chǎn)中低壓MOS管200N12的電特性:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 120 | 135 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 3.7 | 4.2 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=6V,ID=20A | 4.3 | 5.8 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 2.9 | 4 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 19 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 11 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 75 | |||
Ciss | 輸入電容 | 5240 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 739 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 12 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 59 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 41 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 96 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 33 |