100V場(chǎng)效應(yīng)管4N10 SOT23-6 LED用MOSFET 國(guó)產(chǎn)MOS管選型
100V場(chǎng)效應(yīng)管4N10的極限值:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) | 3.8 | A |
漏極電流-連續(xù)(TA=100℃) | 2 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | 8 | |
PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 3.75 | W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 125 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 30 | |
TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
100V場(chǎng)效應(yīng)管4N10的極限值:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | 111 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=2A | 200 | 250 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=1.5A | 220 | 280 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 5.3 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 1.4 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.8 | |||
Ciss | 輸入電容 | 440 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 14 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 10 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 14 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 54 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 18 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 11 |