低內(nèi)阻場效應(yīng)管30N06 TO-263貼片低內(nèi)阻NMOS管 電源MOS管選型
貼片低內(nèi)阻NMOS管30N06的極限值:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 30 | A |
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 16 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | 74 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 22 | mJ |
IAS | 雪崩電流 | 13 | A |
PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 31.3 | W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 4 | |
TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~175 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~175 |
常用NMOS管30N06的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 65 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=15A | 28 | 36 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=7A | 38 | 45 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 19 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 2.5 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 5 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1027 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 65 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 46 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 2.8 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 16.6 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 21.2 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 5.6 |