低壓40VMOS場效應(yīng)管68N04 PDFN3X3-8L無線充電用MOSFET國產(chǎn)NMOS管
低壓40VMOS場效應(yīng)管68N04的應(yīng)用領(lǐng)域:
無線充電
無刷電機(jī)
低壓40VMOS場效應(yīng)管68N04的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) | 68 | A |
漏極電流-連續(xù)(TA=70℃) | 33 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | 125 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 31 | mJ |
IAS | 雪崩電流 | 31 | A |
PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 1.67 | W |
TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 85 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 30 |
低壓40VMOS場效應(yīng)管68N04的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | 47 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=12A | 6.9 | 8.5 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 10.5 | 15 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 5.8 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 3 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.2 | |||
Ciss | 輸入電容 | 690 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 193 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 38 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 14.3 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 5.6 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 20 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 11 |