場效應管選型150N03 PDFN5X6-8L貼片低壓NMOS管 30V國產MOSFET
貼片低壓NMOS管150N03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 150 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 78 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 500 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 240 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 55 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 48 | W |
| 總耗散功率 TA=25℃ | 2.6 | ||
| TSTG | 存儲溫度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~175 | |
| RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 2.6 |
貼片低壓NMOS管150N03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 33 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=30A | 1.4 | 2 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 2.3 | 3.2 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 70 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 12 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 17 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 4930 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 682 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 566 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 10 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 6.5 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 75 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 18 |
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