N溝道低壓MOS管FIR20N10LG TO-252 100V增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
N溝道低壓MOS管FIR20N10LG的極限值:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
漏極-源極電壓 | VDSS | 100 | V |
柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V |
漏極電流-連續(xù) | ID | 20 | A |
漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 12 | ||
漏記電流-脈沖 | IDM | 60 | |
單脈沖雪崩能量 | EAS | 250 | mJ |
功耗 | PD | 55 | W |
工作結(jié)溫 | TJ | -55~+150 | ℃ |
存儲(chǔ)溫度范圍 | TSTG | -55~+150 |
N溝道低壓MOS管FIR20N10LG電特性:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 100 | 110 | V | |
零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=100V,VGS=0V | 1 | μA | ||
柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
柵極開(kāi)啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=5A | 56 | 70 | mΩ | |
輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 1350 | pF | ||
輸出電容 | Coss | 240 | ||||
反向傳輸電容 | Crss | 180 | ||||
開(kāi)啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=30V,ID=2A,RL=15Ω,RG=2.5Ω,VGS=10V | 13.8 | nS | ||
開(kāi)啟上升時(shí)間 | tr | 9.3 | ||||
關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 43.8 | ||||
開(kāi)啟下降時(shí)間 | tf | 11.4 | ||||
柵極總電荷 | Qg | VDD=30V,ID=3A,VGS=10V | 31 | nC | ||
柵源電荷密度 | Qgs | 6.4 | ||||
柵漏電和密度 | Qgd | 9.4 |