650VN溝道MOS管FIR18N65FG TO-220F塑封低內(nèi)阻MOSFET 場效應管替換
650VN溝道MOS管FIR18N65FG的極限值：
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 650 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±30 | V |
漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | ID | 18 | A |
漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 11.7 | ||
| 漏記電流-脈沖 | IDM | 72 | |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 340 | mJ |
| 雪崩電流 | IAR | 18 | A |
| 重復雪崩能量 | EAR | 48 | mJ |
| 功耗(TC=25℃) | PD | 35 | W |
| 工作結(jié)溫 | TJ | 150 | ℃ |
| 存儲溫度范圍 | TSTG | -55~+150 |
650VN溝道MOS管FIR18N65FG的電特性：
（如無特殊說明，TC=25℃）
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 650 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=670V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| VDS=400V,Tc=125℃ | 10 | |||||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±30V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 3 | 5 | V | |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=9A,Tc=25℃ | 380 | 480 | mΩ | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 2150 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 265 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 6.2 | ||||
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=335V,ID=18A,RG=25Ω | 36 | nS | ||
| 開啟上升時間 | tr | 51 | ||||
| 關斷延遲時間 | td(off) | 80 | ||||
| 開啟下降時間 | tf | 44 | ||||
| 柵極總電荷 | Qg | VDD=335V,ID=18A,VGS=10V | 38 | nC | ||
| 柵源電荷密度 | Qgs | 12 | ||||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 13 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術支持新聞資訊關于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
