國(guó)產(chǎn)替換MOSFET 30N02 PDFN3X3-8L 貼片小封裝MOS管
國(guó)產(chǎn)替換MOSFET 30N02的應(yīng)用領(lǐng)域:
太陽(yáng)能路燈
負(fù)載開(kāi)關(guān)
3.3V MCU
國(guó)產(chǎn)替換MOSFET 30N02的極限值:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 20 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 30 | A |
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 13 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | 50 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 8.1 | mJ |
IAS | 雪崩電流 | 12.7 | A |
PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 20.8 | W |
TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 6 |
國(guó)產(chǎn)替換MOSFET 30N02的電特性:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | 22 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=7.6A | 11 | 15 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=3.5A | 15.5 | 20 | |||
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=1.8V,ID=2.5A | 20.5 | 35 | |||
VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 0.5 | 0.65 | 1 | V |
IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=20V,VGS=0V | 1 | μA | ||
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 11.05 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 1.73 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.1 | |||
Ciss | 輸入電容 | 888 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 133 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 117 | |||
td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 7 | ns | ||
tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 46 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 30 | |||
tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 52 |