200V/18A中低壓MOSFET FIR19N20PG TO-220場(chǎng)效應(yīng)管替代 NMOS管
中低壓MOSFET FIR19N20PG的特點(diǎn):
低電容
良好的開(kāi)關(guān)特性
封裝:TO-220
中低壓MOSFET FIR19N20PG的極限值(如無(wú)特殊說(shuō)明,TA=25℃):
參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
漏極-源極電壓 | VDSS | 200 | V |
柵極-源極電壓 | VGS | ±30 | V |
漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | ID | 18 | A |
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 11.9 | ||
單脈沖雪崩能量 | EAS | 160 | mJ |
雪崩電流 | IAR | 18 | A |
功耗(TA=25℃) | PD | 90 | W |
工作結(jié)溫 | TJ | 150 | ℃ |
存儲(chǔ)溫度范圍 | TSTG | -55~+150 |
中低壓MOSFET FIR19N20PG的電特性(如無(wú)特殊說(shuō)明,TA=25℃):
參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 200 | V | ||
零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=200V,VGS=0V | 1 | μA | ||
VDS=160V,TC=125℃ | 10 | |||||
柵極漏電流 | IGSS | VGS=±30V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
柵極開(kāi)啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=9A | 0.18 | Ω | ||
輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 1230 | 1670 | pF | |
輸出電容 | Coss | 200 | 260 | |||
反向傳輸電容 | Crss | 25 | 33 | |||
開(kāi)啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=100V,ID=18A,RG=25Ω | 16 | 40 | nS | |
開(kāi)啟上升時(shí)間 | tr | 133 | 275 | |||
關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 38 | 85 | |||
開(kāi)啟下降時(shí)間 | tf | 62 | 135 | |||
柵極總電荷 | Qg | VDS=160V,ID=18A,VGS=10V | 20 | 26 | nC | |
柵源電荷密度 | Qgs | 5.6 | ||||
柵漏電和密度 | Qgd | 10 |