100V低壓MOSFET福斯特FIR15N10LG TO-252貼片NMOS管
貼片NMOS管FIR15N10LG的應(yīng)用領(lǐng)域:
筆記本的電源管理
便攜式設(shè)備
電池供電系統(tǒng)
負(fù)載開關(guān)
DSC
貼片NMOS管FIR15N10LG的極限值:
參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
漏極-源極電壓 | VDSS | 100 | V |
柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V |
漏極電流-連續(xù) | ID | 15 | A |
功耗 | PD | 35 | W |
工作結(jié)溫 | TJ | -55~150 | ℃ |
貼片NMOS管FIR15N10LG的電特性:
參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 100 | V | ||
零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=80V,VGS=0V | 1 | μA | ||
柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1 | 3 | V | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=8A | 80 | 100 | mΩ | |
輸入電容 | Ciss | VDS=15V,VGS=0V,F=1MHz | 700 | pF | ||
輸出電容 | Coss | 70 | ||||
反向傳輸電容 | Crss | 50 | ||||
開啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=50V,RL=5Ω, VGEN=10V,RG=1Ω | 11 | nS | ||
開啟上升時(shí)間 | tr | 30 | ||||
關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 35 | ||||
開啟下降時(shí)間 | tf | 3.5 | ||||
柵極總電荷 | Qg | VDS=80V,ID=10A,VGS=4.8V | 22 | nC | ||
柵源電荷密度 | Qgs | 4 | ||||
柵漏電和密度 | Qgd | 7 |