650V/10A高壓NMOS管TO-263 FIR10N65RG貼片MOSFET
貼片MOSFET FIR10N65RG的特點(diǎn):
低門極電荷
低反向傳輸電容
快速切換
貼片MOSFET FIR10N65RG的極限值:
參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
漏極-源極電壓 | VDSS | 650 | V |
柵極-源極電壓 | VGS | ±30 | V |
漏極電流-連續(xù) | ID | 10 | A |
單脈沖雪崩能量 | EAS | 520 | mJ |
雪崩電流 | IAR | 10 | A |
功耗 | PD | 60 | W |
工作結(jié)溫 | TJ | 150 | ℃ |
存儲(chǔ)溫度范圍 | TSTG | -55~150 |
貼片MOSFET FIR10N65RG的電特性:
參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 650 | V | ||
零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=300V,VGS=0V | 0.1 | μA | ||
VDS=520V,Tj=125℃ | 100 | |||||
柵極漏電流 | IGSS | VGS=±30V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 5 | V | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=5A | 0.72 | 0.9 | Ω | |
輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 2100 | 2240 | pF | |
輸出電容 | Coss | 166 | 215 | |||
反向傳輸電容 | Crss | 18 | 24 | |||
開啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=300V,ID=10A,RG=25Ω | 23 | 55 | nS | |
開啟上升時(shí)間 | tr | 66 | 150 | |||
關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 144 | 300 | |||
開啟下降時(shí)間 | tf | 77 | 165 | |||
柵極總電荷 | Qg | VDD=480V,ID=10A,VGS=10V | 43 | nC | ||
柵源電荷密度 | Qgs | 25 | ||||
柵漏電和密度 | Qgd | 18 |