增強(qiáng)型MOS 120N03 TO-252 120A貼片MOS管 低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管
增強(qiáng)型MOS 120N03的引腳圖:
增強(qiáng)型MOS 120N03的應(yīng)用領(lǐng)域:
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS 不間斷電源
增強(qiáng)型MOS 120N03的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:30V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:120A
漏極電流-脈沖 IDM:360A
單脈沖雪崩能量 EAS:144.7mJ
雪崩電流 IAS:53.8A
總耗散功率 PD:43.4W
存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:75℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:2.88℃/W
增強(qiáng)型MOS 120N03的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 33 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A | 2.8 | 4 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 4.8 | 6.5 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 30 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 7.2 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 10.4 | |||
Ciss | 輸入電容 | 2680 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 393 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 330 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 23 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 28 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 74 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 36 |