汽車充電用NMOS 68N03 PDFN5X6-8L 30V低壓場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET引腳
汽車充電用NMOS 68N03的主要特點(diǎn)：
VDS=30V
ID=68A
RDS(ON)＜6mΩ@VGS=10V(Type：4.8mΩ)
封裝外形：PDFN5X6-8L
汽車充電用NMOS 68N03的產(chǎn)品應(yīng)用：
降壓和增壓
汽車充電
汽車充電用NMOS 68N03的產(chǎn)品極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TA=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：30V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：68A
漏極電流-脈沖 IDM：150A
單脈沖雪崩能量 EAS：28.8mJ
雪崩電流 IAS：24A
總耗散功率 PD：24W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：25℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：5.2℃/W
汽車充電用NMOS 68N03的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 4.8 | 6 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=15A | 6.9 | 9 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 814 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 498 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 41 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 7.1 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 40 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 15 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 6 |
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