宇芯微 小封裝MOS 68N03 PDFN3X3-8L 30VNMOS管 場效應管替換
小封裝MOS 68N03的產(chǎn)品應用：
降壓和增壓
汽車充電
小封裝MOS 68N03的極限值：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | 68 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=75℃ | 35 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 150 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 28.8 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 24 | A |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 24 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 5.2 |
小封裝MOS 68N03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 4.8 | 6 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=15A | 6.9 | 9 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 814 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 498 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 41 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 7.1 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 40 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 15 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 6 |
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