貼片NMOS管 10N03 SOT89-3L 30V/10A 快充用MOSFET 國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管
貼片NMOS管 10N03的主要特點(diǎn)：
VDS=30V
ID=10A
RDS(ON)＜20mΩ@VGS=10V(Type：17mΩ)
封裝形式：SOT89-3L
貼片NMOS管 10N03的應(yīng)用領(lǐng)域：
鋰電池保護(hù)
手機(jī)快充
貼片NMOS管 10N03的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：30V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：10A
漏極電流-脈沖 IDM：30A
總耗散功率 PD：1W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：125℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：85℃/W
貼片NMOS管 10N03的電特性：
(如無(wú)特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 32 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=5.8A | 17 | 20 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=5A | 25 | 32 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 11.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.9 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 860 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 84 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 70 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 47 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 26 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 8 |
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