低內(nèi)阻NMOS管 60N02 PDFN5X6-8L 國產(chǎn)替代MOS 20V/60A 場效應(yīng)管
低內(nèi)阻NMOS管 60N02的主要特點：
VDS=20V
ID=60A
RDS(ON)＜6mΩ@VGS=4.5V(Type：4.8mΩ)
封裝外形：PDFN5X6-8L
低內(nèi)阻NMOS管 60N02的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TA=25℃ | 60 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TA=70℃ | 39 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 200 | |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 37 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 47.6 | mJ |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+175 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+175 | |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 4 |
低內(nèi)阻NMOS管 60N02的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | 24 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=30A | 4.8 | 6.5 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=20A | 8.2 | 10 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.5 | 0.7 | 1.2 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | 1 | uA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 23 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 7.3 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1832 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 289 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 271 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 15 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 37 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 52 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 21 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
