低壓貼片MOSFET 50N02 PDFN5X6-8L NMOS MCU驅(qū)動(dòng)用MOS管
低壓貼片MOSFET 50N02的主要特點(diǎn)：
VDS=20V
ID=53A
RDS(ON)＜8.5mΩ@VGS=4.5V(Type：6.2mΩ)
封裝形式：PDFN5X6-8L
低壓貼片MOSFET 50N02的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：20V
柵極-源極電壓 VGS：±12V
漏極電流-連續(xù) ID：50A
漏極電流-脈沖 IDM：120A
單脈沖雪崩能量 EAS：147.6mJ
總耗散功率 PD：37W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~+175℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~+175℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：25℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：4℃/W
低壓貼片MOSFET 50N02的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | 24 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=25A | 6.2 | 8.5 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=10A | 8.8 | 13 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.4 | 0.7 | 1.1 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 6.4 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1458 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 238 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 212 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 10 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 21 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 39 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 19 |
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