7.5mΩ 低內(nèi)阻MOS 190N15 TO-263 中低壓國(guó)產(chǎn)NMOS 150V/190A 常用MOSFET
低內(nèi)阻MOS 190N15的應(yīng)用領(lǐng)域:
DC/DC 轉(zhuǎn)換器
LED 背景照明
電源管理開關(guān)
低內(nèi)阻MOS 190N15的極限值:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:150V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:190A
漏極電流-脈沖 IDM:550A
單脈沖雪崩能量 EAS:506mJ
雪崩電流 IAS:53.4A
總耗散功率 PD:210W
存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
低內(nèi)阻MOS 190N15的電特性:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 150 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 6.6 | 7.5 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 2.9 | 4 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 18 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 10 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 72 | |||
Ciss | 輸入電容 | 5240 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 412 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 10 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 22 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 115 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 44 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 105 |