N型MOSFET 150N20 TO-247 反相器用NMOS 200V/150A 國產(chǎn)替代MOS管
反相器用NMOS 150N20的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=200V
ID=150A
RDS(ON)＜10mΩ@VGS=10V(Type：8.5mΩ)
封裝：TO-247
反相器用NMOS 150N20的應(yīng)用領(lǐng)域：
UPS
反相器
反相器用NMOS 150N20的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：200V
柵極-源極電壓 VGS：±30V
漏極電流-連續(xù) ID：150A
漏極電流-脈沖 IDM：450A
單脈沖雪崩能量 EAS：600mJ
總耗散功率 PD：750W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：40℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：0.45℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：150℃
反相器用NMOS 150N20的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 200 | 220 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=80A | 8.5 | 10 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 3.6 | 4.3 | 5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 50 | 65 | S | |
| Qg | 柵極電荷 | 170 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 30 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 50 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 15000 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 1000 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 420 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 90 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 140 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 220 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 180 |
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