宇芯微 低壓MOSFET 90N02 TO-252 超低內(nèi)阻NMOS 3.5mΩ UPS用場(chǎng)效應(yīng)管
低壓MOSFET 90N02的產(chǎn)品主要參數(shù)：
VDS=20V
ID=90A
RDS(ON)＜3.5mΩ@VGS=4.5V(Type：2.8mΩ)
封裝：TO-252
低壓MOSFET 90N02的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：20V
柵極-源極電壓 VGS：±12V
漏極電流-連續(xù) ID：90A
漏極電流-脈沖 IDM：360A
單脈沖雪崩能量 EAS：110mJ
總耗散功率 PD：81W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.85℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~175℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~175℃
低壓MOSFET 90N02的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=30A | 2.8 | 3.5 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=20A | 4 | 6 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 0.5 | 0.68 | 1 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 48 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 19 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3200 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 460 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 445 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 9.7 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 37 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 63 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 52 |
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