馬達用PMOS 80P10 TO-263 25mΩ 貼片MOSFET 場效應管選型
馬達用PMOS 80P10的產(chǎn)品特點：
VDS=-100V
ID=-80A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=-10V(Type：19mΩ)
封裝：TO-263
馬達用PMOS 80P10的應用領域：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | -80 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | -56 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -300 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 174 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | -50 | A |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 280 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.65 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
馬達用PMOS 80P10的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-20A | 19 | 25 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-10A | 25 | 30 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 80 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 15.6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 17.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 4230 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 388 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 26 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 26 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 78 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 200 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 210 |
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