PMOS國(guó)產(chǎn)替換 80P10 TO-252 -100V 馬達(dá)用PMOS管 MOSFET選型
馬達(dá)用PMOS管 80P10的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=-100V
ID=-80A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=-10V(Type：20mΩ)
封裝：TO-252
馬達(dá)用PMOS管 80P10的應(yīng)用領(lǐng)域：
馬達(dá)
UPS 不間斷電源
馬達(dá)用PMOS管 80P10的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：-80A
漏極電流-脈沖 IDM：-300A
單脈沖雪崩能量 EAS：174mJ
雪崩電流 IAS：-50A
總耗散功率 PD：280W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~+150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~+150℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：0.65℃/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W
馬達(dá)用PMOS管 80P10的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，Tj=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-20A | 20 | 25 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-10A | 25 | 30 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 80 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 15.6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 17.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 4230 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 388 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 26 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 26 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 78 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 200 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 210 |
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